发明名称 METHOD FOR GROWING SI-GE SINGLE CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPH04285096(A) 申请公布日期 1992.10.09
申请号 JP19910072322 申请日期 1991.03.12
申请人 NEC CORP 发明人 WATANABE MASATO;EGUCHI MINORU
分类号 C30B29/06;C30B29/08;H01L21/208 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利