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经营范围
发明名称
BURYING METHOD FOR POLYSILICON CONTACT
摘要
申请公布号
JPH04273122(A)
申请公布日期
1992.09.29
申请号
JP19910053510
申请日期
1991.02.27
申请人
NEC CORP
发明人
IGAWA EIJI
分类号
H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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