发明名称 STRUCTURE BODY AND METHOD FOR IMPROVEMET OF INTEGRITY OF GATE OXIDE OF SEMICONDUCTOR FORMED BY RECESSED HERMETICALLY SEALED SIDEWALL FIELD OXIDATION METHOD
摘要
申请公布号 JPH04268747(A) 申请公布日期 1992.09.24
申请号 JP19910337997 申请日期 1991.11.28
申请人 NCR CORP 发明人 SUTEIIBUN ESU RII
分类号 H01L21/76;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/762 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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