VERFAHREN ZUM PROGRAMMIEREN DURCH IONEN-IMPLANTATION VON NURLESESPEICHERN-NMOS UND EIN DADURCH ERHALTENER NURLESESPEICHER-NMOS.,申请号DE19863686481-传众专利搜索

发明名称	VERFAHREN ZUM PROGRAMMIEREN DURCH IONEN-IMPLANTATION VON NURLESESPEICHERN-NMOS UND EIN DADURCH ERHALTENER NURLESESPEICHER-NMOS.
摘要
申请公布号	DE3686481(D1)	申请公布日期	1992.09.24
申请号	DE19863686481	申请日期	1986.11.29
申请人	SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT	发明人	CAPPELLETTI, PAOLO GIUSEPPE, I-20030 SEVESO MILAN, IT;MAGGIONI, FRANCO, I-22067 MISSAGLIA COMO, IT
分类号	G11C17/00;H01L21/8246;H01L27/10;H01L27/112;(IPC1-7):H01L27/10	主分类号	G11C17/00
代理机构		代理人
主权项
地址