PROCESSING METHOD FOR FABRICATING ELECTRICAL CONTACTS TO MESA STRUCTURES IN SEMICONDUCTOR DEVICES.

摘要

Une structure mésa à semi-conducteurs (20) est recouverte avec un matériau de réserve (22) suivant une configuration d'arrosage localisé de sorte que le matériau de réserve (22) est plus mince sur le dessus des mesas (21) et également au niveau de la partie supérieure des parois latérales qu'au niveau de la base des mesas (21) et du canal d'intervention. On expose ensuite la réserve (22) à travers un masque (23) de sorte que lorsque la réserve (22) est developpée, on peut la retirer de la surface supérieure du mésa (21) et de la partie supérieure de la paroi. Lorsqu'on expose la réserve (22) à une radiation actinique, la réserve (22) la plus mince est correctement exposée plus rapidement que la partie la plus épaisse située le plus près du fond du mésa (21) si le masque (23) ne le protège pas correctement de la radiation actinique incidente. On obtient ainsi une tolérance de l'alignement qui est supérieure à celle qu'on obtiendrait si la photoréserve (22) avait une épaisseur uniforme.