AN IMAGER HAVING IMPROVED THIN FILM TRANSISTOR AND PHOTOSENSITIVE DEVICE STRUCTURES.

摘要

Une structure améliorée pour un réseau photosensible de photodiodes à transistor à film mince retient le matériau semi-conducteur de la couche du transistor à film mince sous la zone entière occupée par le dispositif photosensible pour chaque pixel du réseau. Ceci permet d'éliminer un gradin dans la couche sur lequel la métallisation de source du transistor à film mince est disposée et se traduit par une passivation plus fiable de cette couche, une augmentation du rendement et une réduction des coûts. Plusieurs procédés améliorés peuvent être utilisés pour la fabrication d'un tel réseau photosensible de photodiodes à transistor à film mince.