| 发明名称 |
(A) ;Electrically programmable and erasable MOS floating gate memory device employing tunneling and method of fabricating same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4203158(B1) |
申请公布日期 |
1992.09.22 |
| 申请号 |
US19780969819 |
申请日期 |
1978.12.15 |
| 申请人 |
INTEL CORP |
发明人 |
DOV FROHMAN-BENTCHKOWSKY;JERRY MAR;GEORGE PERLEGOS;WILLIAM S JOHNSON |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;(IPC1-7):G11C11/40 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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