| 发明名称 |
METHOD AND STRUCTURE FOR SEALING IN TREATING DEVICE OF HIGH-DISSOCIATION-PRESSURE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04265297(A) |
申请公布日期 |
1992.09.21 |
| 申请号 |
JP19910062174 |
申请日期 |
1991.03.26 |
| 申请人 |
MITSUBISHI MATERIALS CORP;RES DEV CORP OF JAPAN |
发明人 |
SASA KOICHI;SHIRATA TAKAHARU;ATAMI TAKASHI |
| 分类号 |
C09K3/10;C30B27/02;C30B29/40;H01L21/208 |
主分类号 |
C09K3/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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