发明名称 | 交变电场真空离子沉积方法及设备 | ||
摘要 | 一种交变电场真空离子沉积方法及设备,在工件上施加交变电场取代已知技术中的直流负偏压,使设备制造成本大幅度地降低,运行更稳定,沉积层质量更优良。设备中配备新结构真空阴极电弧靶,可使靶材利用率提高到近100%,且可进行任意指定元素种类和成分的高速(0.1~0.5mm/h)。低温(≤560℃)离子表面合金化及离子镀膜,在工业大生产规模上取代渗碳、渗氮、多元共渗等化学热处理以及镀铬之类的某些电镀及镀氮化钛之类的真空离子镀膜。 | ||
申请公布号 | CN1064508A | 申请公布日期 | 1992.09.16 |
申请号 | CN91106640.3 | 申请日期 | 1991.02.28 |
申请人 | 湖南省机械研究所 | 发明人 | 刘天相;欧阳章西;于锡裘 |
分类号 | C23C14/34 | 主分类号 | C23C14/34 |
代理机构 | 湖南省机械研究所专利事务所 | 代理人 | 李于勋 |
主权项 | 1、一种交变电场真空离子沉积方法,包括工件的预清洗,装夹、抽真空、离子源等离子体发射,离子和电子对工件的轰击所致加热、电子轰击除气、离子轰击清洗、离子的沉积、以及最后的冷却等,其特征在于采用为实施本方法而设计的设备,将离子源所产生的等离子体中的离子和电子,发射到反射极与工件极,当工件为非导体时发射到反射极与加速栅极之间的独立的交变电场中,受其作用而交替地轰击到工件表面上。 | ||
地址 | 410007湖南省长沙市梓园路长塘里24号 |