| 发明名称 | 磁光记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种磁光记录介质，它在基体上至少具有增强膜(I)和磁光记录(II)，所述增强膜(I)是由SiO2(其中0＜X＜1.33)所表示的折射率至少为1.9的氮化硅膜所构成，而所述磁光记录膜(II)是由[Pdapt1-a]y[RExTM1-x(其中至少50原子％的RE为Tb和/或Dy，其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm，TM为Fe和/或Co，且0≤a≤1，0.2≤x≤0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的、具有垂直于膜的磁缓轴的非晶态合金膜所构成。这些磁光记录介质在其磁光记录膜(II)上可以有反射膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1018304B | 申请公布日期 | 1992.09.16 |
| 申请号 | CN89108072.4 | 申请日期 | 1989.10.17 |
| 申请人 | 三井石油化学工业株式会社 | 发明人 | 水本邦彦;春田浩一;梶浦博一 |
| 分类号 | G11B11/10 | 主分类号 | G11B11/10 |
| 代理机构 | 上海专利事务所 | 代理人 | 王孙佳 |
| 主权项 | 1、一种磁光记录介质在基体上至少具有一层增强膜(Ⅰ)和一层磁光记录膜(Ⅱ)，其特征在于：增强膜(Ⅰ)是由SiN<sub>x</sub>(其中0＜X＜1.33)所表示的折射率n至少为1.9的氮化硅膜所构成，而磁光记录膜(Ⅱ)具有200至5000<img file="89108072_IMG1.GIF" wi="45" he="63" />的膜厚度是由[PdaPt<sub>1-a</sub>]<sub>y</sub>[RE<sub>x</sub>TM<sub>1-x</sub>]<sub>1-y</sub>(其中至少50原子%的RE为Tb和/或Dy，其余为Nd、Gd、Ce、Eu、Pr、Ho、Tm或Sm，TM为Fe和/或Co，且0≤a≤1，0.2＜x＜0.7和0.05≤y≤0.3)所表示的并具有垂直于膜平面的易磁化轴的非晶态合金膜所构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||