METHOD OF FABRICATING A HIGH-FREQUENCY BIPOLAR TRANSISTOR,申请号US19900570958-传众专利搜索

发明名称	METHOD OF FABRICATING A HIGH-FREQUENCY BIPOLAR TRANSISTOR
摘要
申请公布号	US5147775(A)	申请公布日期	1992.09.15
申请号	US19900570958	申请日期	1990.08.21
申请人	MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.	发明人	OTA, YORITO;INADA, MASANORI;YANAGIHARA, MANABU
分类号	H01L21/331;H01L29/10;H01L29/737	主分类号	H01L21/331
代理机构		代理人
主权项
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