| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体主动矩阵驱动的显示系统,包含 有于行 及列的液晶显示单元的重复排列,每两个影像单元 被排列 成一〝群〞,在同一群中的两个影像单元经由相同 的开关 信号导线及数据信号导线加入,每一群中的一个影 像单元 的开关元件是n通道薄膜电晶体,而另一个影像单 元的开 关元件是p通道薄膜电晶体。2.如申请专利范围第1 项所述之矩阵显示器系统,其中, 液晶单元的n通道薄膜电晶体及p通道薄膜电晶体 控制开关 之临界电压,都要设计得比最大的数据信号电压还 要大。3.如申请专利范围第1项所述之矩阵显示器 系统,其中, 每一群中的n通道薄膜电晶体及p通道薄膜电晶体, 系位于 其对应的水平导线的两侧,此时,一个nm的矩阵显 示器 之水平导线为n/2条。4.如申请专利范围第1项所述 之矩阵显示器系统,其中, 每一群中的n通道薄膜电晶体及p通道薄膜电晶体, 系位于 其对应的垂直导线的两侧,此时,一个nm的矩阵显 示器 之垂直导线为m/2条。5.如申请专利范围第1项所述 之矩阵额示器系统,其中的 薄膜电晶体所使用之基本半导体材料为复晶矽或 为非晶矽 或为其它的半导体材料。6.如申请专利范围第1项 所述之矩阵显示器系统,每三个 显像单元可提供显示器上的一个色彩点。7.如申 请专利范围第1项所述之矩阵显示器系统,其中的 显示器的扫描线信号包括有一个正的方波及一个 负的方波 ;当加入正方波时,被加入开关信号的水平导线所 连接的 所有n通道薄瞋电晶体都被打开;当加入负方波时, 此条 扫描线上所有的p通道薄膜电晶体都被打开;在这 两段时 间内,显像单元的数据信号以同步的时序加入各显 像单元 。8.如申请专利范围第7项所述之矩阵显示器系统, 其中之 开关信号的正方波的波宽及负方波的波宽可相同 也可不同 ,其波宽的长短,可由n通通道薄膜电晶体及P通道薄 膜电 晶体的形状及其迁移率来决定。9.如申请专利范 围第1项所述之矩阵显示器系统,显示器 用以产生开关信号和数接信号所需用之利用互补 式p通道 和n通道电晶体驱动线路,可以利用和显示器上的 电晶体 开关积体化,而以同一制程制作于同一基板上。10. 如申请专利范围第3项所述之矩阵显示器系统,每 一个 正方波周期和每一负方波周期都大约等于一条水 平线的充 电时间,对一个电视而言其都代表一条线的扫描周 期。11.如申请专利范围第4项所述之矩阵显示器系 统,正方波 和负方波的总和时间,对应于一条水平扫描线的充 电时间 ,对一个电视而言,此段时间等于一条扫描线的周 期。12.如申请专利范围第11项所述之矩阵显示器 系统,在正 方波的开启时间内,每两个充电的像素的中间,都 以一个 未充电的像素隔开,而在负方波的开启时间内,每 两个充 电的像素的中间,也都以一个未充电的像素隔开。 13.如申请专利范围第3项所述之矩阵显示器系统, 其像素 排列方式系为,每一群中之n通道薄膜电晶体位于 水平导 线之上方,而p通道薄瞋电晶体位于水平导线的下 方。14.如申请专利范围第3项所述之矩阵颢示器系 统,其像素 排列方式系为,每一群中之n通道薄膜电晶体位于 水平导 线之下方,而p通道薄膜电晶体位于水平导线的上 方。15.如申请专利范围第3项所述之矩阵显示器系 统,其像素 排列方式系为,于一条水平导线上的n通道薄膜电 晶体和p 通道薄膜电晶体上下交错地重覆排列于水平导线 上。16.如申请专利范围第4项所述之矩阵显示器系 统,其像素 排列方式系为,每一群中之n通道薄膜电晶体位于 水平导 线之左方,而p通道薄膜电晶体位于水平导线的右 方。17.如申请专利范围第4项所述之矩阵显示器系 统,其像素 排列方式系为,每一群中之n通道薄膜电晶体位于 水平导 线之右方,而p通道薄膜电晶体位于水平薄线的左 方。18.如申请专利范围第4项所述之矩阵显示器系 统,其像素 排列方式系为,于一条垂直导线上的n通道薄膜电 晶体和p 通道薄膜电晶体左19.如申请专利范围第3项所述之 矩阵显示器系统,其像素 排列方式系为,于一条水平导线上的n通道薄膜电 晶体和p 通道薄膜电晶体系以任意的方式排列于水平导线 上。20.如申请专利范围第4项所述之矩阵显示器系 统,其像素 排列方式系为,于一条垂直导线上的n通道薄膜电 晶体和P 通道薄膜电晶体系以任意的方式排列于垂直导线 上。右交 错地重覆排列于垂直导线上。21.如申请专利范围 第7项所述之矩阵显示器系统,其中显 示器的水平扫描线之正方波扫描信号及负方波扫 描信号, 系为紧接着加入同一水平信号线,而于同一水平信 号线加 入正方波信号及负方波信号后,再进行下一条水平 扫描线 的扫描。22.如申请专利范围第7项所述之矩阵显示 器系统,其中显 示器的所有水平扫描线系先依序加入正的方波,而 于所有 水平扫描线都完成正方波的扫描信号后,再于所有 水平扫 |
