| 发明名称 |
CIRCUIT INTEGRE EN TECHNOLOGIE SILICIUM SUR ISOLANT COMPORTANT UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION. |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
FR2663464(B1) |
申请公布日期 |
1992.09.11 |
| 申请号 |
FR19900007655 |
申请日期 |
1990.06.19 |
| 申请人 |
COMMISSARIAT A ENERGIE ATOMIQUE |
发明人 |
BLANC JEAN-PHILIPPE;BONAIME JOELLE;DU PORT DE PONCHARRA JEAN;TRUCHE ROBERT |
| 分类号 |
H01L27/06;H01L21/8234;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/808;(IPC1-7):H01L27/12;H01L21/84 |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
