INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF,申请号JP19910037847-传众专利搜索

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发明名称	INSULATED GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF
摘要
申请公布号	JPH04257230(A)	申请公布日期	1992.09.11
申请号	JP19910037847	申请日期	1991.02.08
申请人	FUJITSU LTD	发明人	GOTO HIROSHI
分类号	H01L27/12;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786	主分类号	H01L27/12
代理机构		代理人
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