SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT,申请号JP19910016220-传众专利搜索

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发明名称	SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT
摘要
申请公布号	JPH04254999(A)	申请公布日期	1992.09.10
申请号	JP19910016220	申请日期	1991.02.07
申请人	NEC CORP	发明人	OTANI TOSHIHIKO
分类号	G11C29/02;G11C29/00;G11C29/56;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/118	主分类号	G11C29/02
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