SEMI-CONDUCTOR STRUCTURES.

摘要

Composant opto-électronique comprenant un substrat de InP (4, 5) avec des tas de puits quantiques (6) formés sur les deux surfaces du substrat. Des couches (7) de InP dopées n ayant des régions dopées p (8) sont formées sur la surface extérieure des puits quantiques. A l'utilisation, les tensions V1 et V2 peuvent être appliqués aux électrodes (1), permettant l'utilisation dudit composant dans un certain nombre d'applications, par ex. comme paire détecteur/modulateur, dans les réseaux à couplage ferme de modulateurs, etc.