发明名称 | 空间投影成像无掩模光刻线圈法 | ||
摘要 | 本发明公开一种用投影成像无掩模曝光和投影反射成像无掩模曝光技术,制造圆柱形单层或多层载电流线圈的方法。制作圆柱形载电流线圈时,首先制作工件,在圆柱形线圈绝缘性骨架上镀铜膜或别种金属膜,在其上涂覆光刻胶。然后制作模板、曝光,再将曝光后的工件投入显影和刻蚀工序制成单层载电流线圈。在已制成的单层线圈上镀绝缘层,再按上述方法制成多层载电流线圈。本发明取消线圈的绕制工艺,降低成本,提高了性能一致性和使用寿命。 | ||
申请公布号 | CN1064369A | 申请公布日期 | 1992.09.09 |
申请号 | CN92101080.X | 申请日期 | 1992.02.21 |
申请人 | 西安交通大学 | 发明人 | 袁绥华;章锡元 |
分类号 | H01F41/04 | 主分类号 | H01F41/04 |
代理机构 | 西安交通大学专利事务所 | 代理人 | 田文英 |
主权项 | 1、空间投影成像无掩模光刻线圈法,其特征是制造圆柱形单层载电流线圈的方法应细分为: ①制作工件,在圆柱形线圈绝缘性骨架上镀上铜膜或别种金属膜,然后在这层金属膜表面涂覆光刻胶;②制作模板,在玻璃或金属板上按照对线宽,线间距的要求制作模板;③曝光,用光源、模板和透镜成像系统对工件以三面投影或反射成像法进行曝光;④将曝光后的工件投入显影和刻蚀这些光刻工艺的后处理工序,制成单层载流线圈。 | ||
地址 | 710049陕西省西安市咸宁路28号 |