发明名称 | 超导陶瓷图案及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种超导陶瓷图案及其制造方法。采用离子注入法将杂质掺入超导陶瓷的一个预定部分,从而降低或破坏掺杂区的起始Tc。在某一工作温度下,杂质掺杂区表现出非超导性,而其它未被掺杂的区域保持超导性。 | ||
申请公布号 | CN1018115B | 申请公布日期 | 1992.09.02 |
申请号 | CN88102320.5 | 申请日期 | 1988.04.15 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
分类号 | H01L39/22;H01L39/24;H01L27/18 | 主分类号 | H01L39/22 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖掬昌 |
主权项 | 1.一种氧化物超导陶瓷图案,包括基片及其上的氧化物超导陶瓷薄膜,其特征在于在一基片上的所说超导陶瓷至少有一区域掺以杂质,以便改变该掺杂区域的起始临界温度Tco,使其低于未掺以所说杂质的其它区域的Tco。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |