半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件及其制造方法，该器件的单晶硅区域3包括第一区9和邻近的第二区10，其侧面由埋没的氧化层4和重叠的掺杂多晶硅层5所包围。硅层5侧面由氧化硅层6同区域3分开，并邻接区域3的上表面的窄边缘部分上的第一区9，后者具有与硅层5相同的导电类型。硅层5由以自对准方式形成的氧化物带12A与电极层11分开，而具有由氧化物带确定的宽度的至少一个掺杂连接区13位于第一和第二区之间，并位于氧化物带12A的下面。

主权项

1.一种具有半导体本体的半导体器件，该本体包括侧面至少部分地由埋没的氧化层所包围的邻近表面的单晶硅区域和设置在它上面的重掺杂硅层，所述重掺杂硅层侧面大体全部由氧化层同所述区域分开，所述区域包括具有与至少邻接于该区域边缘的重掺杂硅层相同的导电类型的第一掺杂区和邻近的第二掺杂区，该重掺杂硅层是在所述区域表面的边缘部分上与第一区邻接的，所述第二区备有电极，其特征在于：该重掺杂硅层是由以自对准方式形成的氧化物带同该电极分开的，在第一和第二区之间设置至少一条位于该氧化物带下面的掺杂的连接区，所述连接区同所述第一和第二区邻接，并具有由所述氧化物带所确定的宽度。