METHOD FOR HALIDE ETCHING IN THE PRESENCE OF WATER OF SEMI-CONDUCTOR SUBSTRATES.

摘要

Procédé de gravure à halogénure d'un substrat semi-conducteur en présence d'eau. La gravure s'effectue dans un réacteur. Le procédé consiste à remplir le réacteur d'un premier gaz jusqu'à une première pression puis à y introduire un deuxième gaz jusqu'à une deuxième pression, après quoi l'on laisse le substrat dans le réacteur pendant plusieurs minutes afin d'obtenir la gravure voulue.