| 发明名称 |
Process for the surface bonding silicon wafers. |
| 摘要 |
<p>Verfahren zum flächenhaften Verbinden von zwei oder mehreren Siliziumhalbleiterscheiben (1) (Wafern) unter Einwirkung von Druck und Wärme, wobei auf mindestens einer der zu verbindenden Oberflächen eine dünne Schicht (2,3) aus halbleiterkonformem Materials, aufgebracht wird. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP0501108(A1) |
申请公布日期 |
1992.09.02 |
| 申请号 |
EP19920100220 |
申请日期 |
1992.01.09 |
| 申请人 |
MESSERSCHMITT-BOELKOW-BLOHM GMBH |
发明人 |
SCHUSTER, GUENTHER, DR.;PAENITSCH, KLAUS |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/98 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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