发明名称 | 制造硅单晶的设备 | ||
摘要 | 引上法制造硅单晶的设备,包括一个将硅粒原料连续送进坩埚的加料装置。该装置包括一个充有减压惰性气体的箱体,箱体内部安装一个转筒,转筒外圈表面上有多个能截住颗粒原料的部件,在转筒上方装量一个贮料斗。加料装置的配布要使贮料斗底部排出口与转筒外圆表面之间的距离(缝隙)要大于硅粒的最大直径,且该距离(缝隙)的最大值要足以使得硅粒能以一个静止角堆积在这个距离(缝隙)上。转筒■■表面上能截住颗粒的部件采取各种任何凸起或沟槽的形式。 | ||
申请公布号 | CN1018002B | 申请公布日期 | 1992.08.26 |
申请号 | CN90102476.7 | 申请日期 | 1990.03.30 |
申请人 | 日本钢管株式会社 | 发明人 | 毛利吉男;荒木健治;黑田浩一 |
分类号 | C30B15/00;C30B29/06 | 主分类号 | C30B15/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖掬昌;吴秉芬 |
主权项 | 1.在连续送料型引上法制造硅单晶的设备中,包括一个将硅料连续送进坩埚的加料装置,其改进之处包括:一个充有减压惰性气体的箱体;该箱体内安置一个转筒并装有一个卧式旋转轴,在所说的转筒外圆表面上附有多个能截住颗粒的部件;一个安装在所说的转筒上方的贮料斗,该贮料斗底部排出口与所说的转筒外圆表面之间的距离是这样一个范围,其最小值要大于所说的硅粒最大直径,其最大值则由一极限值构成,该极限值以一个静止角使所说的转筒内从所说的排出口排出的所说的硅粒停止转动因而堆积在所说的转筒外圆表面。 | ||
地址 | 日本东京都 |