| 摘要 |
Μία μέθοδος δια την απόθεσιν μεταλλικών γραμμών επί ενός τμηματίου-ημιαγωγού IC (ολοκληρωμένου κυκλώματος) (52) ή επικαλλύματος (MASK) περιγράφεται χρησιμοποιούσα μίαν εστιασμένην δέσμην ιόντων (FIB) (44) με μίαν πολύ χαμηλωτέραν δόσιν ιόντων από ό,τι απαιτείτο προηγουμένως, της τάξεως των (αριθμητικός τύπος) ιόντων/τετρ. εκ. Εν υπόστρωμα (32) σαρώνεται με την FIB (44) προς παραγωγήν μιας σειράς θέσεων (46) σχηματισμού πυρήνων επί της επιφανείας (42) του υποστρώματος. Αυταί αι θέσεις (46) σχηματισμού πυρήνων δύνανται να είναι εντός ενός προσθέτου στρώματος (42) ή δύνανται να παραχθούν δια βλάβης πλέγματος ή διασκορπίσεως απ' ευθείας εντός του υλικού του υποστρώματος (32). Το υπόστρωμα (32) εκτίθεται έπειτα εις εν αέριον πηγής περιέχον το προς απόθεσιν υλικόν, ενώ θερμαίνεται εις μίαν θερμοκρασίαν ελαφρώς μικροτέραν από την δια το αέριον πηγής θερμοκρασίαν αυθορμήτου θερμικής διασπάσεως. Τούτο έχει ως αποτέλεσμα μίαν καλώς καθωρισμένην γραμμήν υλικών αποτιθεμένων εκ του αερίου πηγής κατά μήκος της γραμμής (50), οριζομένης υπό των θέσεων (46) σχηματισμού πυρήνων. Ο λόγος της ενεργείας αυθορμήτου ενεργοποιήσεως προς την ενέργειαν αυτοκαταλυτικής ενεργοποιήσεως δια τα αέρια είναι κατά προτίμησιν τουλάχιστον περίπου μία τάξις μεγέθους, και η FIB (44) κατά προτίμησιν τουλάχιστον κινείται εις πολλαπλάς σαρώσεις εγκαρσίως της επιθυμουμένης γραμμής (50). Εις μίαν ειδικήν υλοποίησιν τόσον το πρόσθετον στρώμα όσον και το αέριον πηγής συνίσταται από πεντακαρβονύλιον του σιδήρου, χρησιμοποιείται μία δόσις ιόντων (αριθμητικός τύπος) ιόντων/τετρ. εκ., και το υπόστρωμα (32) θερμαίνεται κατά προσέγγισιν εις 130 βαθμούς κελσίου. Η δόσις ιόντων είναι αρκούντως χαμηλή ώστε το σύστημα να είναι συμβατόν με άλλας μεθόδους FIB, όπως η λιθογραφία, η εμφύτευσις και η επιμετάλλωσις με βομβαρδισμών κατιόντων. Αι εφαρμογαί συμπεριλαμβάνουν την κατασκευήν και επισκευήν τόσον των ICS (ολοκληρωμένων κυκλωμάτων) (52) όσον και των επικαλλυμάτων. ω |
