| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une structure monolithique comprenant deux ensembles de diodes bidirectionnelles de caractéristiques distinctes constituées à partir d'un substrat (1) d'un premier type de conductivité (N<->) à partir d'une surface duquel sont réalisées des premières régions (10, 11, 12) du deuxième type de conductivité pour constituer le premier ensemble de diodes entre une première métallisation (30) solidaire de l'une des premières régions et des deuxièmes métallisations (31, 32) solidaires des autres des premières régions. Cette structure comprend un caisson (15) du deuxième type de conductivité formé à partir de ladite surface dans lequel sont formées des deuxièmes régions (20, 21, 22) du premier type de conductivité pour constituer le deuxième ensemble de diodes entre une troisième métallisation (40) solidaire de l'une des deuxièmes régions et des quatrièmes métallisations (41, 42) solidaires des autres des deuxièmes régions. <IMAGE></p> |
