| 发明名称 |
High electron mobility transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5140386(A) |
申请公布日期 |
1992.08.18 |
| 申请号 |
US19910697830 |
申请日期 |
1991.05.09 |
| 申请人 |
RAYTHEON COMPANY |
发明人 |
HUANG, JOHN C.;JACKSON, GORDON S. |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/338;H01L29/08;H01L29/778 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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