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发明名称 REDUCING BASE RESISTANCE OF A BJT BY FORMING A SELF ALIGNED SILICIDE IN THE SINGLE CRYSTAL REGION OF THE EXTRINSIC BASE
摘要
申请公布号 US5139961(A) 申请公布日期 1992.08.18
申请号 US19900503498 申请日期 1990.04.02
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 SOLHEIM, ALAN G.;BASTANI, BAMDAD;BOUKNIGHT, JAMES L.;GANSCHOW, GEORGE E.;DELONG, BANCHERD;LAHRI, RAJEEVA;LEIBIGER, STEVE M.;BLAIR, CHRISTOPHER S.;JEROME, RICK C.;BISWAL, MADAN;DAVIES, TAD;ILDEREM, VIDA;IRANMANESH, ALI A.
分类号 H01L29/73;H01L21/285;H01L21/32;H01L21/331;H01L21/762;H01L29/732 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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