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发明名称 HIGH VOLTAGE MOS TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH VOLTAGE MOS TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 US5140392(A) 申请公布日期 1992.08.18
申请号 US19910665236 申请日期 1991.03.05
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 IKEMASU, SHINICHIROU
分类号 H01L21/285;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/78 主分类号 H01L21/285
代理机构 代理人
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