| 发明名称 |
MANUFACTURE OF HIGH DENSITY INTEGRATED CIRCUIT TITANIUM NITRIDE LAYER AND DEVICE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04225225(A) |
申请公布日期 |
1992.08.14 |
| 申请号 |
JP19910091383 |
申请日期 |
1991.03.29 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
HAINRITSUHI KERUNAA;HERUMUUTO TORAIHIERU;KONRAATO HIIBAA |
| 分类号 |
C23C16/34;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768 |
主分类号 |
C23C16/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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