| 摘要 |
<P>- Le transistor bipolaire comprend un substrat (1) semi-conducteur, d'un premier type de conductivité (P), un caisson rétrogade (3) servant de collecteur et présentant un second type de conductivité (N) opposée du premier, une région active de base (4, 5) présentant une conductivité du premier type, une région (6) servant d'émetteur de conductivité de second type, les régions (4, 5, 6) étant bordées de part et d'autre par une région isolante. Selon l'invention, le transistor comporte une zone (11) du second type de conductivité servant de contact de collecteur, localisée dans une région du caisson rétrogade (3), à distance de la zone de base (4, 5) et s'étendant, au plus, à partir de la zone de base, au droit de la zone isolante (2). <BR/> - Application à la réalisation de circuits du type BI MOS ou BI - CMOS.</P>
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