| 发明名称 |
MAGNETORESISTANCE ELEMENT MEMORY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04221868(A) |
申请公布日期 |
1992.08.12 |
| 申请号 |
JP19900412607 |
申请日期 |
1990.12.21 |
| 申请人 |
FUJI ELELCTROCHEM CO LTD |
发明人 |
TADOKORO HISANO;KATSUBE YASUYUKI |
| 分类号 |
G11C11/18;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08 |
主分类号 |
G11C11/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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