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发明名称 METHOD FOR PRODUCING A LASER DIODE WITH A BURIED ACTIVE LAYER AND WITH LATERAL CURRENT CONFINEMENT BY A SELF-ADJUSTED P-N JUNCTION
摘要
申请公布号 EP0176028(B1) 申请公布日期 1992.08.12
申请号 EP19850111813 申请日期 1985.09.18
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 AMANN, MARKUS-CHRISTIAN, DR.
分类号 H01S5/00;H01L33/00;H01S5/20;H01S5/227 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人
主权项
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