摘要 |
<P>La diode haute tension de verrouillage d'onde est caratérisée en ce qu'elle est constituée par un empilage alterné de pastilles semiconductrices (11) et de rondelles conductrices (12), centrées les unes sur les autres à l'aide de bagues isolantes de centrage (14) rapportées sur les pastilles individuelles et pressées les unes contre les autres entre des semelles conductrices (17, 18) d'un boîtier étanche pressurisé (15), à paroi isolante tubulaire (16), dans lequel est monté ledit empilage. <BR/> Application: circuit de décharge d'impulsion de forte énergie dans un élément à tester.</P>
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