| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE POTENTIAL GENERATING CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH04206960(A) |
申请公布日期 |
1992.07.28 |
| 申请号 |
JP19900339473 |
申请日期 |
1990.11.30 |
| 申请人 |
TEXAS INSTR JAPAN LTD |
发明人 |
NIBUYA TAKAYUKI;OGATA YOSHIHIRO |
| 分类号 |
H01L27/04;G05F3/20;H01L21/822 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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