PROCESS FOR FORMING SILICON OXIDE FILM

摘要

Procédé de formation d'une couche en oxyde de silicium consistant à déposer sur un substrat une couche mince de silanol, d'un polymère de celui-ci ou d'un polymère de siloxane, chacun contenant un groupe organique, par l'excitation d'un gaz renfermant un gaz organosilane ou organosiloxane et un gaz renfermant H et OH, sur un substrat dans une chambre de réaction, de manière à provoquer une réaction dans une phase gazeuse ou sur le substrat; et à enlever le groupe organique de la couche mince par un traitement par plasma. De préférence, on forme la couche mince en effectuant à plusieurs reprises le dépôt et l'enlèvement dans la même chambre, et on la soumet à un traitement thermique à une température égale ou inférieure à 450 °C. Ce procédé permet d'obtenir une couche présentant un excellent effet d'isolation et une planitude comparable à celle d'une couche SOG.