发明名称 PROCEDIMENTO PER FORMARE UNA REGIONE DI ISOLAMENTO DI ELEMENTI IN UN DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORE
摘要
申请公布号 ITMI912383(A1) 申请公布日期 1992.07.23
申请号 IT1991MI02383 申请日期 1991.09.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JIN TAE-JE;LEE YOUNG-TAEK
分类号 H01L21/76;H01L;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/762 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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