IN-SITU PHOTORESIST CAPPING PROCESS FOR PLASMA ETCHING,申请号EP19860303796-传众专利搜索

发明名称	IN-SITU PHOTORESIST CAPPING PROCESS FOR PLASMA ETCHING
摘要
申请公布号	EP0202907(B1)	申请公布日期	1992.07.22
申请号	EP19860303796	申请日期	1986.05.19
申请人	APPLIED MATERIALS, INC.	发明人	TAM, SIMON WOOD;WONG, JERRY YUEN KUI;READE, RONALD PAUL;WANG, DAVID NIN-KOU
分类号	C30B33/12;C23F1/00;C23F4/00;C30B33/00;G03F7/40;H01L21/308;H01L21/3105;H01L21/311	主分类号	C30B33/12
代理机构		代理人
主权项
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