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Eine Verpolungs- und Überspannungsschutzschaltung enthält drei MOSFET-Transistoren 1, 5, 8. Die Drain-Source-Strecken zweier MOSFET-Transistoren 1, 5 sind in Reihe geschaltet und liegen in der Versorgungsspannungszuleitung. Die Gates der MOSFET-Transistoren 1, 5 sind über einen Widerstand 7 miteinander verbunden. Das Gate des ersten MOSFET-Transistor 1 liegt auf Bezugspotential. Der dritte MOSFET-Transistor 8 schließt die Gate-Source-Strecke des zweiten MOSFET-Transistors 5 bei Auftreten einer Überspannung kurz. <IMAGE>
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