硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法

摘要

一种硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法。该方法是将达到器件目标电阻率的硅单晶先用快中子流照射，然后进行硅片加工，合格的硅片直接送入硅器件制造的第一道热工序的扩散炉内，在高纯气氛的保护下，随炉升温到该工序要求的温度，进行第一道热工序。该工序结束后，随即完成了对硅片缺陷的控制。该方法可大大节省工时和能耗，提高成品率，改善器件电参数，对N型、P型、重掺硅都适用。

主权项

1.一种硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法，该方法包括下列工艺步骤：a.将达到器件目标电阻率的硅单晶先用通量为5×1014～1×1018n/cm2的快中子流照射2～15小时；b.将硅单晶加工成硅片，清洗处理；c.将硅片直接送入硅器件制造的第一道热工序的扩散炉腔内，在高纯气氛的保护下，随炉生温到该工序要求的温度1030～1200℃，进行第一道热工序；d.第一道热工序结束后，出炉自然冷却。