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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH MULTILAYER SILICON OXIDE SILICON NITRIDE DIELECTRIC
摘要
申请公布号 KR920005632(B1) 申请公布日期 1992.07.10
申请号 KR19880001465 申请日期 1988.02.15
申请人 HITACHI LTD. 发明人 OJI, YUZURU;KASAHARA, OSAMU;TADAKI, YOSHIDAKA;KANEKO, HIROGO;MINE, TOSHIYUKI;YAKI, KUNIHIRO
分类号 H01L27/04;F02B3/06;H01L21/318;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/51;H01L29/92;(IPC1-7):H01L21/02;H01L21/31 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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