METHOD OF PRODUCING A THIN SILICON-ON-INSULATOR LAYER.

摘要

Un procédé de fabrication d'une tranche de silicium en couche mince au moyen d'une couche d'arrêt de gravure constituée d'un alliage de silicium et de germanium (24), consiste à doper correctement une tranche de silicium principale (20) en fonction de l'application désirée, à former par croissance une couche tendue d'alliage Si1x Gex (24) sur le germe de tranche (20) afin qu'elle serve de couche d'arrêt de gravure, à former par croissance une couche de silicium (26) sur la couche d'alliage tendue avec une épaisseur permettant la formation de la région active du dispositif, à oxyder la tranche principale (20) et une tranche d'essai (30), à former une liaison entre les surfaces oxydées de la tranche principale (20) et de la tranche d'essai (30), à usiner le dos de la tranche principale (20), à graver celle-ci sélectivement afin d'enlever le silicium (20 et 22), et à enlever la couche d'alliage tendu (24) au moyen d'une gravure non sélective, en conservant la couche de silicium (26) de la région du dispositif. Dans un autre mode de réalisation, le procédé comprend l'implantation d'ions de germanium, d'étain ou de plomb afin de former la couche tendue d'arrêt de gravure (24).