发明名称 半导体台面器件钝化工艺
摘要 一种半导体台面器件钝化工艺,它将腐蚀好的台面器件冲洗好后,立即放入预先配置好的HF,HNO<SUB>3</SUB>,HAc,H<SUB>2</SUB>O溶液内,使其先生成一层染色膜,然后去掉保护胶后进行稳定处理,接着放到淀积炉内再淀积一层氮化硅,最后再涂敷一层硅漆,这样在台面上形成染色膜—Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>—有机硅漆的多层保护层。经本工艺钝化的半导体台面器件具有良好的稳定性和可靠性,特别是在高温环境下工作的器件,其高温性能有了显著的提高。
申请公布号 CN1062619A 申请公布日期 1992.07.08
申请号 CN90106103.4 申请日期 1990.12.19
申请人 上海汽车电器总厂 发明人 周春英;吕亦梅;汪秀娟
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 上海市机电工业管理局专利事务所 代理人 夏永兴
主权项 1、一种半导体台面器件钝化工艺,它是在半导体器件的台面表面生长一层由氮化物组成的钝化膜,其特征是台面表面形成钝化膜为染色膜-Si3N4-有机硅漆的多层保护层。
地址 200082上海市杨浦区惠民路591号