| 发明名称 |
METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A SEMI-INSULATING SEMICONDUCTOR LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5128275(A) |
申请公布日期 |
1992.07.07 |
| 申请号 |
US19910649768 |
申请日期 |
1991.01.25 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
TAKIKAWA, MASAHIKO;OKABE, TADAO;KIKKAWA, TOSHIHIDE |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/205;H01L21/338;H01L21/76;H01L29/778;H01L29/812;H01S5/00 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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