发明名称 WORKING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH04184929(A) 申请公布日期 1992.07.01
申请号 JP19900315102 申请日期 1990.11.20
申请人 HITACHI LTD 发明人 UKAI SEIICHI;SHIMADA SATOSHI
分类号 C23F1/00;C23F1/02;H01L21/306;H01L21/3063 主分类号 C23F1/00
代理机构 代理人
主权项
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