PROCEDE ET APPAREIL POUR LE TRAITEMENT DE RECUIT DES DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEUR.

摘要

L'invention concerne un procédé et un appareil de traitement de dispositif à semiconducteur, où un champ d'hyperfréquences est produit (24) afin d'entourer le dispositif à semiconducteur tandis qu'un faisceau électronique ou ionique focalisé est appliqué (4) au substrat du dispositif, de sorte que la présence du faisceau électronique ou ionique crée une région conductrice qui augmente l'intensité du champ d'hyperfréquences dans cette région, si bien que le champ d'hyperfréquences intensifié crée un effet local d'échauffement dans le substrat permettant de réaliser une action locale de recuit.