MONOLITHIC INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

Il est proposé un dispositif intégré monolithique à semi-conducteurs où, sur la surface principale d'un transistor npn ou transistor pnp intégré monolithique, une électrode de couverture (D1) est fixée pour la limitation interne de la tension, ladite électrode recouvrant une seule zone de transition entre une zone fortement dopée (5) et un substrat faiblement dopé (1). Une zone voisine fortement dopé (4) n'est pas recouverte par l'électrode de couverture (D1). Par raccordement de l'électrode de couverture métallique (D1) à la prise (12) d'un diviseur de tension (R1, R2), il est possible de régler une tension de claquage qui est plus élevée que la somme de la tension de claquage d'appauvrissement et de la tension de claquage d'enrichissement.