一种双向晶闸管的烧结工艺

摘要

本发明是一种用铬-镍-银形成的金属阻挡层改进双向晶闸管的烧结工艺。这种新的带有Cr·Ni·Ag阻挡层的烧结工艺，避免了烧结端n型硅被“吃掉”或被部分补偿现象，从根本上解决了烧结沾润不好和翻铝现象，而且烧结形成的合金结浅而平坦。因此，提高了器件烧结的成品率，改善了器件的通态压降、dv/dt耐量、反向阻断特性和参数一致性。该发明工艺先进，而且这种烧结工艺散热效果好，可以在硅片直径不变大的情况下使器件获得较大的功率，因此，将会创造一定的经济效益。

主权项

1、一种双向晶闸管的烧结工艺其特征在于：在硅片和铝片之间建立一个有Cr、Ni、Ag三层金属组成的阻挡层。