发明名称 干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构
摘要 本发明涉及干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构。本发明提供一种磁控反应离刻蚀机上施加磁场的永磁磁路结构,该永磁磁路结构设于反应室内直接构成磁场,由一对包括许多永磁磁铁单元的极板,一个软铁回路以及角铁组成。通过调整可使硅片刻蚀区形成均匀的强度可调的磁场。本发明磁路结构简单,可降低设备制造成本,提高精度,提高设备可靠性和易操作性。
申请公布号 CN1017208B 申请公布日期 1992.06.24
申请号 CN90109813.2 申请日期 1990.12.19
申请人 中国科学院微电子中心 发明人 罗澎;金钟元;韩阶平;马俊如
分类号 H01L21/306;B44C1/22;C03C15/00;C23F1/02 主分类号 H01L21/306
代理机构 三友专利事务所 代理人 杨佩璋
主权项 1、大面积均匀可调永磁磁路结构,其特征在于:在反应室1内的阴极2两侧设有多块成排永磁磁铁单元5与在该成排永磁磁铁单元内侧所加软铁板6组成的极板4,在该极板4外侧设有由二个软铁回路纵长部分71、二个软铁回路水平部分72以及四个软铁回路斜角部分73组成非正八角形或上部呈圆弧形的软铁回路7,在两块对立的软铁板6二端内侧分别设有角铁或由软铁棒排成角状结构8,用于直径为280毫米的反应室1时,阴极直径为60~110毫米,极板4长度为140~165毫米,软铁回路水平部分72的长度为60~110毫米,体积为10×10×10毫米的永磁磁铁单元5在每个极板4上为54块。
地址 100010北京市650信箱