| 摘要 |
<P>Procédé de fabrication de dispositifs de mémoire morte à masque (MROM) logique NON ET et NON OU. Sur la surface supérieure d'un substrat semiconducteur (90) une première couche de silicium polycristallin est formée, un dessin d'une électrode de grille (71 à 76) est formé suivant des lignes de mot de rangs pairs ou de rangs impairs. Puis, une couche d'isolation ayant une épaisseur dans la domaine submicronique est formée sur la surface supérieure du substrat. Et ensuite un agent photorésistant est déposé et un procédé de gravure en retrait est exécuté. Ensuite, la couche d'isolation mise à nu par le procédé de gravure en retrait et la couche de silicium polycristallin sont gravées de manière sélective pour former un espacement de ligne de mot correspondant à une épaisseur de la couche d'isolation. Ainsi, l'espacement entre les lignes de mot adjacentes peut être minimisé et une marge de sécurité peut être suffisamment assurée.</P>
|
