发明名称 PLASMA ETCHING INDIUM TIN OXIDE USING A DEPOSITED OXIDE MASK.
摘要 L'utilisation d'un masque d'oxyde déposé permet de recourir à une puissance plus élevée lorsque l'oxyde stannique d'indium est corrodé par un plasma contenant CH3. et AR+, ce qui augmente le pouvoir corrosif de l'oxyde stannique d'indium.
申请公布号 EP0489143(A1) 申请公布日期 1992.06.10
申请号 EP19910912466 申请日期 1991.06.19
申请人 EASTMAN KODAK COMPANY 发明人 ROSELLE, PAUL, L.
分类号 G02F1/1343;G03F7/40;H01L21/302;H01L21/3065;H01L27/146;H01L31/18 主分类号 G02F1/1343
代理机构 代理人
主权项
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