PROCESS OF FABRICATING FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH LDD STRUCTURE,申请号US19910645770-传众专利搜索

发明名称	PROCESS OF FABRICATING FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH LDD STRUCTURE
摘要
申请公布号	US5120673(A)	申请公布日期	1992.06.09
申请号	US19910645770	申请日期	1991.01.25
申请人	NEC CORPORATION	发明人	ITOH, HIROSHI
分类号	H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78	主分类号	H01L21/265
代理机构		代理人
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